DIF065SIC0x0 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Diotec Semiconductor DIF065SIC0x0 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs offer fast switching times and reduced noise levels in a SiC-wide bandgap material. The DIF065SIC0x0 features a low gate charge and on-state resistance. The devices operate at a 650V drain-source voltage with a junction temperature of -55°C to +175°C.

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 Fabricante
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Qtde RoHS Modelo ECAD Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Número de canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Vgs - Voltagem de porta e fonte
Tensão de limite porta e fonte
Qg - Carga na porta
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Pd - Dissipação de potência
Modo de canal
Nome comercial


Diotec Semiconductor MOSFETs de SiC 650V TO-247-4L, N, 150A, 650V, 20m?, 175°C
Ficha técnica
450Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 150 A 20 mOhms - 5 V, + 18 V 4 V 236 nC - 55 C + 175 C 550 W Enhancement DIF065SIC020
Diotec Semiconductor MOSFETs de SiC 650V TO-247-4L, N, 105A, 650V, 30m?, 175°C
Ficha técnica
450Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 105 A 30 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 145 nC - 55 C + 175 C Enhancement DIF065SIC030