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LSIC1MO120G0040

Name: IXYS LSIC1MO120G0040
Brand: IXYS
SKU: 576-LSIC1MO120G0040
Price: 27.46 USD
Availability: InStock

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Nº da Mouser:

576-LSIC1MO120G0040

Nº do fabricante:

LSIC1MO120G0040

Fabricante.:

IXYS

Descrição:

MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 50A N-CH SIC

Ficha técnica:

LSIC1MO120G0040 Ficha técnica (PDF)

Modelo ECAD:

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Qtde	Preço unitário	Ext. Preço
	$27.46	$27.46
	$20.05	$200.50
	$20.04	$2,004.00
	$19.28	$8,676.00
5,400	Cotação

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Atributo de produto	Valor do atributo	Selecionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoria de produto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montagem:	Through Hole
Caixa / Gabinete:	TO-247-4
Polaridade do transistor:	N-Channel
Número de canais:	1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte:	1.2 kV
Id - Corrente de drenagem contínua:	70 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência:	50 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte:	- 5 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte:	4 V
Qg - Carga na porta:	175 nC
Temperatura operacional mínima:	- 55 C
Temperatura operacional máxima:	+ 175 C
Pd - Dissipação de potência:	357 W
Modo de canal:	Enhancement
Marca:	IXYS
Configuração:	Single
Tempo de queda:	8 ns
Embalagem:	Tube
Tipo de Produto:	SiC MOSFETS
Tempo de ascensão:	9 ns
Série:	LSIC1MO120G0xxx
Quantidade do pacote de fábrica:	450
Subcategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Tempo de retardo de desligamento típico:	22 ns
Tempo típico de ativação/retardo :	13 ns

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Ficha técnica

LSIC1MO120G0040 Ficha técnica (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

LSIC1MO120G0x N-Channel SiC MOSFETs

IXYS LSIC1MO120G0x N-Channel SiC MOSFETs offer a 1200V drain-source voltage rating, 25mΩ to 160mΩ resistance range, and 14A to 70A currents. These MOSFETs are optimized for high-frequency, high-efficiency applications, and feature ultra-low on-resistance, low gate resistance, and normally-off operations at all temperatures. The IXYS LSIC1MO120G0x N-Channel SiC MOSFETs are ideal for solar inverters, switch-mode power supplies, motor drives, battery chargers, and more.