MRF1K50N 1500W RF Power Transistors

NXP MRF1K50N and MRF1K50GNR5 1500W RF Power Transistors combine high RF output power, superior ruggedness, and thermal performance. These LDMOS devices feature an over-molded plastic package, offering up to 30% lower thermal resistance compared with the ceramic MRF1K50H. NXP's plastic packaging technology helps extract more performance from RF transistors while simplifying amplifier manufacturability thanks to tighter dimensional tolerances and better solder connections. 

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Selecionar Imagem Número de peça Fabricante Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (USD) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade. Qtde RoHS Modelo ECAD Polaridade do transistor Tecnologia Id - Corrente de drenagem contínua Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte Frequência operacional Ganho Potência de saída Temperatura operacional mínima Temperatura operacional máxima Estilo de montagem Caixa / Gabinete Embalagem
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V 41Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 50

N-Channel Si 36 A 133 V 1.8 MHz to 500 MHz 23 dB 1.5 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230-4 Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V Tempo de conclusão sem o estoque 10 semanas
Mín.: 50
Mult.: 50
Bobina: 50

N-Channel Si 36 A 133 V 1.8 MHz to 500 MHz 23 dB 1.5 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230G-4 Reel