AFGHL50T65SQDC

onsemi
863-AFGHL50T65SQDC
AFGHL50T65SQDC

Fabricante.:

Descrição:
IGBTs Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD

Modelo ECAD:
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Atributo de produto Valor do atributo Selecionar atributo
onsemi
Categoria de produto: IGBTs
RoHS:  
REACH - SVHC:
SiC
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.6 V
- 20 V, 20 V
100 A
268 W
- 55 C
+ 175 C
AFGHL50T65SQDC
AEC-Q101
Tube
Marca: onsemi
Ic máx. de corrente do coletor contínuo: 100 A
Corrente de dispersão do gate - emissor: 400 nA
Tipo de Produto: IGBT Transistors
Quantidade do pacote de fábrica: 450
Subcategoria: IGBTs
Nome comercial: EliteSiC
Peso unitário: 7.326 g
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Atributos selecionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

AFGHL50T65SQDC Hybrid IGBT

onsemi AFGHL50T65SQDC Hybrid IGBT offers optimum performance with both low conduction and switching losses. The AFGHL50T65SQDC features 50A current and 650V collector to emitter voltage. The device is ideal for high-efficiency operations in various applications, specifically totem pole bridgeless PFC and inverters. The AFGHL50T65SQDC Hybrid IGBT is AEC-Q100 qualified for automotive applications.