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NTBL023N065M3S

Name: onsemi NTBL023N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBL023N065M3S
Price: 16.13 USD
Availability: InStock

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Nº da Mouser:

863-NTBL023N065M3S

Nº do fabricante:

NTBL023N065M3S

Fabricante.:

onsemi

Descrição:

MOSFETs de SiC SIC MOS TOLL 23MOHM 650V M3S

Vida Útil:

Novo Produto:

Novo no fabricante.

Ficha técnica:

NTBL023N065M3S Ficha técnica

Modelo ECAD:

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Qtde	Preço unitário	Ext. Preço
	$16.13	$16.13
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Bobina cheia (pedidos em múltiplos de 2000)
	$10.16	$20,320.00

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Atributo de produto	Valor do atributo	Selecionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoria de produto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montagem:	SMD/SMT
Caixa / Gabinete:	H-PSOF-8
Polaridade do transistor:	N-Channel
Número de canais:	1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte:	650 V
Id - Corrente de drenagem contínua:	77 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência:	32.6 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte:	- 8 V, + 22 V
Tensão de limite porta e fonte:	4 V
Qg - Carga na porta:	69 nC
Temperatura operacional mínima:	- 55 C
Temperatura operacional máxima:	+ 175 C
Pd - Dissipação de potência:	312 W
Modo de canal:	Enhancement
Marca:	onsemi
Configuração:	Single
Tempo de queda:	9.6 ns
Embalagem:	Reel
Embalagem:	Cut Tape
Produto:	SiC MOSFETS
Tipo de Produto:	SiC MOSFETS
Tempo de ascensão:	15 ns
Série:	NTBL023N065M3S
Quantidade do pacote de fábrica:	2000
Subcategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tempo de retardo de desligamento típico:	35 ns
Tempo típico de ativação/retardo :	11 ns

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Ficha técnica

NTBL023N065M3S Ficha técnica

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTBL023N065M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NTBL023N065M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are designed for demanding power applications. The onsemi NTBL023N065M3S MOSFETs feature a typical R_DS(on) of 23mΩ at V_GS = 18V, ultra-low gate charge (Q_G(tot) = 69nC), and high-speed switching with low capacitance (C_oss = 152pF). Fully tested for avalanche performance, the MOSFETs are halide-free, RoHS-compliant with Exemption 7a, and Pb-free at the second-level interconnection. Ideal for applications like Switching Mode Power Supplies (SMPS), solar inverters, Uninterruptable Power Supplies (UPS), energy storage systems, and infrastructure, these SiC MOSFETs provide robust performance for modern power management needs.