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NVBG070N120M3S

Name: onsemi NVBG070N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBG070N120M3S
Price: 15.39 USD
Availability: InStock

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Nº da Mouser:

863-NVBG070N120M3S

Nº do fabricante:

NVBG070N120M3S

Fabricante.:

onsemi

Descrição:

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3

Ficha técnica:

NVBG070N120M3S Ficha técnica

Modelo ECAD:

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Atributo de produto	Valor do atributo	Selecionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoria de produto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montagem:	SMD/SMT
Caixa / Gabinete:	D2PAK-7
Polaridade do transistor:	N-Channel
Número de canais:	1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte:	1.2 kV
Id - Corrente de drenagem contínua:	25 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência:	87 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte:	- 10 V, + 22 V
Tensão de limite porta e fonte:	4.4 V
Qg - Carga na porta:	57 nC
Temperatura operacional mínima:	- 55 C
Temperatura operacional máxima:	+ 175 C
Pd - Dissipação de potência:	172 W
Modo de canal:	Enhancement
Nome comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuração:	Single
Tempo de queda:	8.8 ns
Transcondutância em avanço - Mín:	12 S
Embalagem:	Reel
Embalagem:	Cut Tape
Tipo de Produto:	SiC MOSFETS
Tempo de ascensão:	12 ns
Série:	NVBG070N120M3S
Quantidade do pacote de fábrica:	800
Subcategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Tempo de retardo de desligamento típico:	30 ns
Tempo típico de ativação/retardo :	11 ns

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Ficha técnica

NVBG070N120M3S Ficha técnica

PCN

Product Change Notification 2025-9-26 (PDF)

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

M3S EliteSiC MOSFETs

onsemi M3S EliteSiC MOSFETs are solutions for high-frequency switching applications that employ hard-switched topologies. The onsemi M3S MOSFETs are designed to optimize performance and efficiency. The device has a remarkable ~40% reduction in total switching losses (Etot) compared to the 1200V 20mΩ M1 counterparts. The M3S EliteSiC MOSFETs are perfectly suited for various applications, including solar power systems, onboard chargers, and electric vehicle (EV) charging stations.

NVBG070N120M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFET

onsemi NVBG070N120M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFET is a 1200V M3S planar EliteSiC MOSFET designed for fast switching applications. This MOSFET offers optimum performance when driven with an 18V gate drive but also works well with a 15V gate drive. The NVBG070N120M3S SiC MOSFET features a 57nC ultra-low gate charge, 57pF high-speed switching with low capacitance, and 65mΩ typical drain-to-source ON resistance at V_GS=18V. This MOSFET is 100% Avalanche tested, AEC-Q101 qualified, and PPAP capable. The NVBG070N120M3S SiC MOSFET is available in a D2PAK-7L package and is Lead-free 2LI (on second-level interconnection) and RoHS compliant (with exemption 7a). Typical applications include automotive on-board chargers and DC/DC converters for EV/HEV.