TRENCHSTOP™ 5 H5 (High Speed 5) IGBTs

Infineon TRENCHSTOP™ 5 H5 (High Speed 5) IGBTs are high-speed and designed with ultimate efficiency for applications switching faster than 30kHz. The High Speed 5 IGBTs feature TRENCHSTOP™ 5 technology and are co-packed with a RAPID 1 fast and soft antiparallel diode. Infineon H5 IGBTs offer leading efficiency in hard switching and resonant topologies and are a plug-and-play replacement for previous generation IGBTs. Typical applications include UPS, welding converters, solar string inverters, and mid- to high-range switching frequency converters.

Tipos de Semicondutores discretos
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 Fabricante
Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (USD) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade.
Qtde RoHS Tipo de Produto
Tecnologia
Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Infineon Technologies IGBTs IGBT PRODUCTS
Ficha técnica
1,435Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
Ficha técnica
1,290Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Ficha técnica
615Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Ficha técnica
1,795Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Ficha técnica
401Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
IGBT Transistors Si Through Hole
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Ficha técnica
279Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Ficha técnica
382Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC diode
Ficha técnica
720Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies Módulos IGBT 650 V, 40 A 3-level IGBT module
Ficha técnica
9Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Si
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 10 semanas
Mín.: 1,000
Mult.: 1,000
Bobina: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 10 semanas
Mín.: 1,000
Mult.: 1,000
Bobina: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 10 semanas
Mín.: 1,000
Mult.: 1,000
Bobina: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 10 semanas
Mín.: 1,000
Mult.: 1,000
Bobina: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 26 semanas
Mín.: 240
Mult.: 240

IGBT Transistors Si Through Hole
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 26 semanas
Mín.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4