FFSP0865B

onsemi
863-FFSP0865B
FFSP0865B

Fabricante.:

Descrição:
Diodos Schottky de SiC SIC DIODE TO220 650V

Modelo ECAD:
Baixe o aplicativo gratuito Library Loader para converter este artigo para sua ferramenta ECAD. Saiba mais sobre o Modelo ECAD.

Em estoque: 1,334

Estoque:
1,334 Pode ser enviado imediatamente
Tempo de entrega da fábrica:
13 semanas Tempo estimado de produção de fábrica para quantidades acima do indicado.
Mínimo: 1   Vários: 1
Preço unitário:
$-.--
Ext. Preço:
$-.--
Est. Tarifa:

Preços (USD)

Qtde Preço unitário
Ext. Preço
$3.01 $3.01
$1.68 $16.80
$1.53 $153.00
$1.43 $715.00
$1.37 $1,370.00
$1.31 $3,275.00

Atributo de produto Valor do atributo Selecionar atributo
onsemi
Categoria de produto: Diodos Schottky de SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-220-2
Single
8 A
650 V
1.39 V
56 A
40 uA
- 55 C
+ 175 C
FFSP0865B
Tube
Marca: onsemi
Pd - Dissipação de potência: 73 W
Tipo de Produto: SiC Schottky Diodes
Quantidade do pacote de fábrica: 50
Subcategoria: Diodes & Rectifiers
Nome comercial: EliteSiC
Vr - Tensão no sentido inverso: 650 V
Produtos encontrados:
Para mostrar produtos similares, selecione pelo menos uma opção
Selecione pelo menos uma caixa de seleção acima para mostrar produtos similares nesta categoria.
Atributos selecionados: 0

CNHTS:
8541100000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.

D2 EliteSiC Diodes

onsemi D2 EliteSiC Diodes are a range of high-performance diodes designed for applications requiring a voltage rating of 650V. The onsemi D2 is available in various packages, including DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2, and TO-247-3. These diodes offer low capacitive charge (QC) and are optimized for high-speed switching with low forward voltage. These features make the diodes ideal for power factor correction (PFC) and output rectification applications.

FFSP0865B 650V 8A SiC Schottky Diodes

onsemi FFSP0865B 650V, 8A Silicon Carbide Schottky Diodes use a technology that provides superior switching performance and higher reliability. onsemi FFSP0865B SiC Diodes feature temperature-independent switching characteristics, no reverse recovery current, and excellent thermal performance. Additional benefits include the highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. The FFSP0865B 650V and 8A SiC Schottky Diodes come in a TO-220-2LD package.