1200V Dual IGBT Modules

Infineon 1200V, Dual IGBT Modules, are EconoDUAL™ 3 1200V, 900A dual TRENCHSTOP™ IGBT7 Modules with emitter-controlled 7 diodes, NTC, and PressFIT contact technology. The IGBT Modules offer a higher inverter output current for the same frame size and avoidance of paralleling. The Infineon 1200V, Dual IGBT Modules, provide an easy and reliable assembly with high inter-connection reliability.

Resultados: 11
Selecionar Imagem Número de peça Fabricante Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (USD) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade. Qtde RoHS Modelo ECAD Produto Configuração Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor Tensão de saturação do coletor - emissor Corrente contínua do coletor a 25ºC Corrente de dispersão do gate - emissor Pd - Dissipação de potência Temperatura operacional mínima Temperatura operacional máxima Embalagem
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module 6Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 890 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 450 A dual IGBT module 17Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FF450R07ME4B11BPSA1
Infineon Technologies Módulos IGBT 650 V, 450 A dual IGBT module 9Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 650 V 1.55 V 560 A 100 nA 1.45 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT MEDIUM POWER 62MM 20Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT MEDIUM POWER 62MM 12Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module 19Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 995 A 400 nA 4.05 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT Module 12Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 400 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module 18Em estoque
20Esperado 26/02/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module 10Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 750 A dual IGBT module Tempo de conclusão sem o estoque 14 semanas
Mín.: 10
Mult.: 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP100R12N3T7BPSA1
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 100 A PIM IGBT module Tempo de conclusão sem o estoque 12 semanas
Mín.: 1
Mult.: 1

Tray