Estágio de potência GaN LMG3410R070 600V 70mΩ

O estágio de potência GaN LMG3410R070 600V 70mΩ da Texas Instruments com driver integrado e proteção oferece vantagens sobre os MOSFETs de silício. Estes incluem ultrabaixa capacitância de entrada e de saída. Os recursos incluem recuperação reversa zero reduzindo as perdas de comutação em até 80% e baixo switch node ringing para diminuir as interferências eletromagnéticas (EMI).

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 Fabricante
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Qtde RoHS Modelo ECAD Produto
Tipo
Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Número de drivers
Número de saídas
Corrente de saída
Tensão de alimentação - Mín
Tensão de alimentação - Máx
Configuração
Tempo de ascensão
Tempo de queda
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Série
Embalagem
Texas Instruments Drivers de portas 600-V 70-m? GaN with integrated driver a A 595-LMG3411R070RWHR
Ficha técnica
236Em estoque
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 250

MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT QFN-32 1 Driver 1 Output 12 A 9.5 V 18 V Non-Inverting 2.9 ns 26 ns - 40 C + 125 C LMG3411R070 Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Drivers de portas 600-V 70-m? GaN with integrated driver a A 595-LMG3411R070RWHT
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 12 semanas
Mín.: 2,000
Mult.: 2,000
Bobina: 2,000

MOSFET Gate Drivers High-Side, Low-Side SMD/SMT QFN-32 1 Driver 1 Output 9.5 V 18 V 15 ns 4.2 ns - 40 C + 125 C LMG3411R070 Reel