CSD17581Q3A NexFET™ Power MOSFET

O MOSFET de potência NexFET™ CSD17581Q3A da Texas Instruments é um MOSFET de potência de Canal N de 30V, 3,2mΩ. Este dispositivo foi projetado para minimizar perdas em aplicações de conversão de energia. Este MOSFET oferece baixa Qg, Qgd, RDS(on) e baixa resistência térmica. Estes recursos tornam o dispositivo ideal para um conversor de buck síncrono de ponto de carga para aplicações em sistemas de rede, de telecomunicações e computacionais. Este dispositivo é efetivo para aplicações de controle de motor e é otimizado para aplicações FET de controle.
Saiba mais

Resultados: 2
Selecionar Imagem Número de peça
 Fabricante
Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (USD) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade.
Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia
Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Número de canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Vgs - Voltagem de porta e fonte
Tensão de limite porta e fonte
Qg - Carga na porta
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Pd - Dissipação de potência
Modo de canal
Nome comercial
Embalagem

Texas Instruments MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17581Q3AT
Ficha técnica
306Em estoque
7,500Esperado 12/03/2026
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2,500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 25 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 54 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments MOSFETs 30V N-Channel NexFET A 595-CSD17581Q3A A 595-CSD17581Q3A
Ficha técnica
358Em estoque
250Esperado 20/02/2026
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 250

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 60 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 54 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel