Módulos NXH00xP120M3F2PTxG EliteSiC de meia-ponte

Os Módulos de Meia Ponte EliteSiC NXH00xP120M3F2PTxG da onsemi são módulos de 2 embalagens com dois comutadores MOSFET SiC de 3mΩ ou 4mΩ a 1200 V e um termistor com Alumina Dopada com Zircônia (HPS) Cobre Ligado Direto (DBC) ou nitreto de silício (Si3N4)  DBC. Os comutadores MOSFET SiC embalados em F2 utilizam a tecnologia M3S e possuem uma faixa de acionamento de porta de 15 V a 18 V. As aplicações incluem conversões CC-CA, CC-CC e CA-CC.

Resultados: 4
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 Fabricante
Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (USD) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade.
Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia
Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Vgs - Voltagem de porta e fonte
Tensão de limite porta e fonte
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Pd - Dissipação de potência
Série
Embalagem
onsemi Módulos MOSFET 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
Ficha técnica
25Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit PIM-36 1.2 kV 350 A 5.88 mohms - 10 V, + 22 V 2.4 V - 40 C + 175 C 979 W NXH003P120M3F2PTHG Tray
onsemi Módulos MOSFET 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES
Ficha técnica
58Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit PIM-36 1.2 kV 435 A 5.88 mohms - 10 V, + 22 V 2.4 V - 40 C + 175 C 1.482 kW NXH003P120M3F2PTNG Tray
onsemi Módulos MOSFET 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
Ficha técnica
26Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit PIM-36 1.2 kV 284 A 7.5 mohms - 10 V, + 22 V 2.8 V - 40 C + 175 C 785 W NXH004P120M3F2PTHG Tray
onsemi Módulos MOSFET 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES
Ficha técnica
10Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

SiC NXH004P120M3F2PTNG Tray