MOSFETs de Canal N SiC de 1.200 V SICW0x

Os MOSFETs de Canal N de SiC de 1.200 V SICW0x da Micro Commercial Components (MCC) ampliam o desempenho em pacotes versáteis TO-247-4, TO-247-4L e TO-247AB. Estes MOSFETs garantem alta velocidade de comutação com baixa carga de porta, flexibilidade de design e elevada confiabilidade. Os MOSFETs de SiC de 1200 V SICW0x oferecem um amplo intervalo de resistência de ativação (de 21 mΩ a 120 mΩ ) e um desempenho confiável. Estes MOSFETs de SiC possuem propriedades térmicas superiores e um diodo intrínseco rápido, garantindo uma operação eficiente em condições adversas. Os MOSFETs  de SiC SICW0x estão disponíveis em configurações de 3 pinos e 4 pinos (fonte Kelvin). Habitualmente utilizados em acionadores de motores, equipamentos de soldagem, fontes de alimentação, sistemas de energia renovável, infraestruturas de carregamento, sistemas em nuvem, e fontes de alimentação ininterrupta (Uninterruptible Power Supply, UPS).

Resultados: 10
Selecionar Imagem Número de peça Fabricante Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (USD) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade. Qtde RoHS Modelo ECAD Estilo de montagem Caixa / Gabinete Polaridade do transistor Número de canais Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte Id - Corrente de drenagem contínua Rds On - Fonte de drenagem na resistência Vgs - Voltagem de porta e fonte Tensão de limite porta e fonte Qg - Carga na porta Temperatura operacional mínima Temperatura operacional máxima Pd - Dissipação de potência Modo de canal
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs de SiC SiC MOSFET,TO-247AB 357Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 86 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 3 V 305 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs de SiC SiC MOSFET,TO-247-4 359Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 86 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 3 V 305 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs de SiC SiC MOSFET,TO-247AB 340Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 62 A 75 mOhms - 10 V, + 25 V 2.7 V 229 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs de SiC SiC MOSFET,TO-247-4 360Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 62 A 75 mOhms - 10 V, + 25 V 2.7 V 229 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs de SiC SiC MOSFET,TO-247AB Tempo de conclusão sem o estoque 24 semanas
Mín.: 1,800
Mult.: 1,800
Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 33.6 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 200 nC - 55 C + 175 C 469 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs de SiC SiC MOSFET,TO-247-4L Tempo de conclusão sem o estoque 24 semanas
Mín.: 1,800
Mult.: 1,800
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 33.6 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 200 nC - 55 C + 175 C 469 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs de SiC SiC MOSFET,TO-247AB Tempo de conclusão sem o estoque 52 semanas
Mín.: 1,800
Mult.: 1,800
Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 33 A 134 mOhms - 10 V, + 25 V 3 V 131 nC - 55 C + 175 C 224 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs de SiC SiC MOSFET,TO-247-4 Tempo de conclusão sem o estoque 52 semanas
Mín.: 1,800
Mult.: 1,800
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 33 A 134 mOhms - 10 V, + 25 V 3 V 131 nC - 55 C + 175 C 224 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs de SiC SiC MOSFET,TO-247AB Tempo de conclusão sem o estoque 52 semanas
Mín.: 1,800
Mult.: 1,800
Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 200 mOhms - 10 V, + 25 V 2.95 V 67 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs de SiC SiC MOSFET,TO-247-4 Tempo de conclusão sem o estoque 52 semanas
Mín.: 1,800
Mult.: 1,800
Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 200 mOhms - 10 V, + 25 V 2.95 V 67 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement