SCT40xKWA N-channel SiC power MOSFETs

ROHM Semiconductor SCT40xKWA N-channel SiC power MOSFETs are fourth-generation MOSFETs that provide low on-resistance and improved short-circuit withstand time. These MOSFETs feature 1200V VDS, fast switching speed, 4.7mm minimum creepage distance, and fast recovery time. The SCT40xKWA MOSFETs are RoHS compliant and simple to drive. Typical applications include induction heating, DC-DC converters, solar inverters, and Switch Mode Power Supplies (SMPS).

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 Fabricante
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Qtde RoHS Modelo ECAD Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Número de canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Vgs - Voltagem de porta e fonte
Tensão de limite porta e fonte
Qg - Carga na porta
Temperatura operacional máxima
Modo de canal
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 1.2KV 75A N-CH SIC
Ficha técnica
796Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 1,000
SMD/SMT TO-263-7LA 1 Channel 1.2 kV 75 A 23.4 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 1.2KV 40A N-CH SIC
Ficha técnica
800Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 1,000
SMD/SMT TO-263-7LA N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 91 nC + 175 C Enhancement