MAGX-100027 50V GaN on Si HEMT Amplifiers

MACOM MAGX-100027 50V GaN on Si (Gallium Nitride on Silicon) HEMT (High-Electron-Mobility Transistor) Amplifiers are high-power devices optimized for DC to 2.7GHz frequency operation. The MAGX-100027 Amplifiers support both CW (Continuous Wave) and pulsed operation with peak output power levels from 15W to 300W. Each MACOM MAGX-100027 50V GaN device integrates a pair of isolated, symmetric amplifiers and is internally pre-matched.

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 Fabricante
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Qtde RoHS Modelo ECAD Frequência operacional
Tensão de alimentação operacional
Corrente de Alimentação Operativa
Ganho
Tipo
Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Tecnologia
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Série
Embalagem
MACOM Amplificadores de RF Transistor,GaN,100W,CW
Ficha técnica
287Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

0 Hz to 2.7 GHz 50 V 200 mA 18.5 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT TO-272S-2 GaN - 40 C + 85 C MAGX-100027 Bulk
MACOM Amplificadores de RF Amplifier,GaN,50W,CW
Ficha técnica
84Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

0 Hz to 2.7 GHz 50 V 100 mA 16.8 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT TO-272S-2 GaN - 40 C + 120 C MAGX-100027 Bulk
MACOM Amplificadores de RF Amplifier, GaN DC to 2700MHz, 250pc T&R
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 28 semanas
Mín.: 250
Mult.: 250
Bobina: 250

0 Hz to 2.7 GHz 50 V 16.3 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT TO-252S-4 GaN - 40 C + 85 C MAGX-100027 Reel