RFxL RF Power LDMOS Transistors

STMicroelectronics RFxL RF Power LDMOS Transistors offer high-performance intended for multiple applications with different frequency bands. The RFxL RF Power Transistors are available in B4E, B2, and LBB packages.

Resultados: 4
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 Fabricante
Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (USD) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade.
Qtde RoHS Modelo ECAD Polaridade do transistor
Tecnologia
Id - Corrente de drenagem contínua
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Frequência operacional
Ganho
Potência de saída
Temperatura operacional máxima
Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Embalagem
STMicroelectronics Transistores RF MOSFET 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
Ficha técnica
110Em estoque
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 120

N-Channel Si 2.5 A 110 V 1 Ohms 1 GHz 19 dB 400 W + 200 C SMD/SMT B4E-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistores RF MOSFET 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor
Ficha técnica
20Em estoque
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 120

N-Channel Si 2.5 A 65 V 1 Ohms 1.6 GHz 14 dB 180 W + 200 C SMD/SMT B4E-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistores RF MOSFET 250 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
Ficha técnica
Não estocado
Mín.: 100
Mult.: 100
Bobina: 100

N-Channel Si 2.5 A 90 V 1 Ohms 1 MHz 18 dB 250 W + 200 C SMD/SMT LBB-5 Reel
STMicroelectronics Transistores RF MOSFET 75 W, 28 V, 3.1 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor
Ficha técnica
Não estocado
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 120

N-Channel Si 2.5 A 60 V 1 Ohms 3.5 GHz 12.5 dB 75 W + 200 C SMD/SMT B2-3 Reel, Cut Tape, MouseReel