Drivers GaN/MOSFET de Meia Ponte MPQ1918
Os Drivers GaN/MOSFET de Meia Ponte MPQ1918 da Monolithic Power Systems (MPS) são projetados para acionar FETs de nitreto de gálio (GaN) em modo de aprimoramento ou MOSFETs de canal N com baixa tensão de limite de porta. Esses drivers de meia ponte incluem entradas independentes no lado de alta (HS) e no lado de baixa (LS) de modulação por largura de pulso (Pulse-Width Modulation, PWM). Os drivers de meia ponte MPQ1918 oferecem uma técnica bootstrap para a tensão do driver HSoperar até 100 VCC. Estes drivers incluem uma faixa de tensão de 3,7 V a 5,5 V (VCC), resistência pull-down/pull-up de 0,27 Ω/1,2 Ω e saídas de portas separadas para capacidades ajustáveis de ligar e desligar. Os drivers de meia ponte MPQ1918 possuem qualificação AEC-Q100 Grau 1 e estão disponíveis em um encapsulamento FCQFN-14. As aplicações comuns incluem conversores de meia ponte e ponte completa, amplificadores de áudio classe D, conversores buck síncronos e módulos de potência.
