FET de GaN LMG341xR150

Equipado com driver e proteção integrados, o FET de GaN LMG341xR150 da Texas Instruments permite que os projetistas alcancem novos níveis de eficiência e densidade energética em sistemas de eletrônica de potência. O FET de GaN LMG341xR150 oferece capacitância de entrada e saída ultrabaixa, recuperação reversa nula para reduzir as perdas de comutação em até 80%, e baixa oscilação no nó de comutação para reduzir a EMI. Suas características permitem topologias densas e eficientes, como o PFC em 'totem pole'.