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CMPA2735030S

Name: MACOM CMPA2735030S
Brand: MACOM
SKU: 941-CMPA2735030S
Price: 302.67 USD
Availability: InStock

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Nº da Mouser:

941-CMPA2735030S

Nº do fabricante:

CMPA2735030S

Fabricante.:

MACOM

Descrição:

Amplificadores de RF MMIC, GaN HEMT, G50V3-1C, 30W, 2.7-3.5GH

Ficha técnica:

CMPA2735030S Ficha técnica (PDF)

Modelo ECAD:

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Qtde	Preço unitário	Ext. Preço
	$302.67	$302.67
	$271.11	$2,711.10
Bobina cheia (pedidos em múltiplos de 25)
	$265.51	$6,637.75
100	Cotação

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Atributo de produto	Valor do atributo	Selecionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoria de produto:	Amplificadores de RF
RoHS:
Frequência operacional:	2.7 GHz to 3.5 GHz
Ganho:	28.1 dB
Estilo de montagem:	SMD/SMT
Caixa / Gabinete:	QFN-32
Tecnologia:	GaN
Temperatura operacional máxima:	+ 225 C
Embalagem:	Reel
Embalagem:	Cut Tape
Marca:	MACOM
País de montagem:	Not Available
País de difusão:	Not Available
País de origem:	US
Sensível à umidade:	Yes
Pd - Dissipação de potência:	32 W
Tipo de Produto:	RF Amplifier
Quantidade do pacote de fábrica:	25
Subcategoria:	Wireless & RF Integrated Circuits

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Ficha técnica

CMPA2735030S Ficha técnica (PDF)

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USHTS:: 8542330001
TARIC:: 8542330000
ECCN:: EAR99

Amplificador de Potência CMPA27350350330S de 30W, GaN MMIC

O amplificador de potência GaN MMIC CMPA2735035030S de 30W, 2,7GHz a 3,5GHz da Wolfspeed / Cree é um circuito integrado monolítico de micro-ondas (MMIC) baseado em um Transistor de Alta Mobilidade de Elétrons (HEMT). O amplificador CMPA2735030S de nitreto de gálio (GaN) oferece excelentes benefícios comparados ao arseneto de gálio ou silício, incluindo maior tensão de ruptura, maior velocidade de desvio de elétrons saturados e maior condutividade térmica. Além disso, os HEMTs de GaN oferecem maior densidade de potência e larguras de banda mais amplas em comparação aos transistores de Si e GaAs.