5 G RF JFETs e LDMOS FETs

Os transistores de efeito de campo de junção RF (JFETs) 5G da MACOM e FETs semicondutores de óxido-metal difusíveis (LDMOS) são transistores termicamente melhorados de alta potência para a próxima geração de transmissão sem fio. Esses dispositivos apresentam tecnologia de transistor de mobilidade eletrônica elevada (HEMT na sigla em inglês) de GaN em SiC, correspondência de entrada, alta eficiência e um invólucro de montagem superficial termicamente aprimorado com uma aba sem orelhas. Os JFETs RF e FETs LDMOS 5G da MACOM são ideais para aplicações de amplificador de potência celular multi-padrão. 

Tipos de Semicondutores
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 Fabricante
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Qtde RoHS
MACOM Transistores RF MOSFET 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
Ficha técnica
90Em estoque
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Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 250

MACOM FETs GaN 480W GaN HEMT 48V 3800MHz
Ficha técnica
50Em estoque
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 50

MACOM FETs GaN 280W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
Ficha técnica
30Em estoque
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 50

MACOM FETs GaN 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
Ficha técnica
53Em estoque
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 50

MACOM FETs GaN 200W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
Ficha técnica
40Em estoque
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 50

MACOM FETs GaN 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
Ficha técnica
17Em estoque
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 50

MACOM FETs GaN 400W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
Ficha técnica
40Em estoque
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 50

MACOM Transistores RF MOSFET 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
Ficha técnica
Não estocado
Mín.: 50
Mult.: 50
Bobina: 50