QPA0001 GaN Driver Amplifiers

Qorvo QPA0001 GaN Driver Amplifiers are based on 0.15µm QGaN15 on the SiC process in a 4mm x 3mm x 0.65mm mold-encapsulated QFN package. These amplifiers feature a 8.5GHz to 10.5GHz operating frequency range, 2W saturated output power, 50% power-added efficiency, and 27dB of large signal gain. The QPA0001 amplifiers also feature 33dBm output power, -40°C to 85°C operating temperature range, 16V drain voltage, and 55mA drain current. These amplifiers are ideal for commercial, military radar, and communications.

Resultados: 2
Selecionar Imagem Número de peça Fabricante Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (USD) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade. Qtde RoHS Modelo ECAD Frequência operacional Tensão de alimentação operacional Corrente de Alimentação Operativa Ganho Tipo Estilo de montagem Tecnologia Temperatura operacional mínima Temperatura operacional máxima Série Embalagem
Qorvo Amplificadores de RF X-Band 2W self bias, 4x3mm QFN 54Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

8.5 GHz to 10.5 GHz 16 V 55 mA 33 dB Driver Amplifiers SMD/SMT GaN - 40 C + 85 C QPA0001 Reel
Qorvo Amplificadores de RF X-Band 2W self bias, 4x3mm QFN Tempo de conclusão sem o estoque 18 semanas
Mín.: 250
Mult.: 250
Bobina: 250

QPA0001 Reel