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CGH09120F

Name: MACOM CGH09120F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGH09120F
Price: 640.44 USD
Availability: InStock

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Nº da Mouser:

941-CGH09120F

Nº do fabricante:

CGH09120F

Fabricante.:

MACOM

Descrição:

FETs GaN GaN HEMT UHF-2.5GHz, 120 Watt

Ficha técnica:

CGH09120F Ficha técnica (PDF)

Modelo ECAD:

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Qtde	Preço unitário	Ext. Preço
	$640.44	$640.44
	$570.20	$5,702.00

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Atributo de produto	Valor do atributo	Selecionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoria de produto:	FETs GaN
RoHS:
Estilo de montagem:	Screw Mount
Polaridade do transistor:	N-Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte:	120 V
Id - Corrente de drenagem contínua:	28 A
Tensão de limite porta e fonte:	- 3 V
Temperatura operacional mínima:	- 40 C
Temperatura operacional máxima:	+ 150 C
Pd - Dissipação de potência:	56 W
Marca:	MACOM
Configuração:	Single
Ganho:	21 dB
Voltagem do gate de dreno máxima:	28 V
Frequência operacional máxima:	2.5 GHz
Frequência operacional mínima:	300 MHz
Potência de saída:	20 W
Embalagem:	Tray
Tipo de Produto:	GaN FETs
Quantidade do pacote de fábrica:	40
Subcategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN
Tipo de transistor:	GaN HEMT
Vgs - Tensão de ruptura porta e fonte:	- 10 V, 2 V

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Ficha técnica

CGH09120F Ficha técnica (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

CGH09120F GaN High Electron Mobility Transistor

MACOM CGH09120F GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) is designed for high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities. This module allows for a high degree of DPD correction to be applied, making it ideal for MC-GSM, WCDMA, and LTE amplifier applications. This MACOM transistor is housed in a ceramic/metal flange package.