S29CD016J Flash NOR Memory

Infineon Technologies S29CD016J Flash NOR Memory device is floating product fabricated on 110nm process technology. The S29CD016J flash memory is capable of performing simultaneous read and write operations with zero latency on two separate banks. The S29CD016J flash NOR memory operates up to 75MHz (32Mb) or 66MHz (16Mb) and uses a single device supply of 2.5VCC to 2.75VCC. The flash NOR devices are available with dual boot sector configuration, supports Common Flash Interface (CFI), and 20 years of data retention. The Infineon S29CDxJ burst flash device is ideal for demanding automotive applications.

Resultados: 3
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 Fabricante
Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (USD) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade.
Qtde RoHS Modelo ECAD Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Série
Tamanho da memória
Tensão de alimentação - Mín
Tensão de alimentação - Máx
Valor de corrente ativa - Máx
Tipo de interface
Frequência de operação máxima
Organização
Largura do barramento de dados
Tipo de sincronização
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Qualificação
Embalagem
Infineon Technologies Flash NOR PNOR
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 16 semanas
Mín.: 660
Mult.: 660

SMD/SMT PQFP-80 S29CL016J 16 Mbit 2.5 V 2.75 V 90 mA Parallel 66 MHz 512 k x 32 32 bit Asynchronous, Synchronous - 40 C + 125 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies S29GL064S80BHB040
Infineon Technologies Flash NOR Nor
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 10 semanas
Mín.: 3,380
Mult.: 3,380

SMD/SMT BGA-48 S29GL064S 64 Mbit 2.7 V 3.6 V 50 mA Parallel 8 M x 8 8 bit Asynchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies S29GL128S90FHA023
Infineon Technologies Flash NOR Nor
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 10 semanas
Mín.: 1,600
Mult.: 1,600
Bobina: 1,600

SMD/SMT BGA-64 S29GL128S 128 Mbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 8 M x 16 16 bit Asynchronous - 40 C + 85 C AEC-Q100 Reel