MOFETs de potência CoolMOS™ C7 Gold (G7)

Os MOSFETs de potência CoolMOS™ C7 Gold (G7) da Infineon Technologies são acondicionados em novo pacote SMD-Leadless (TOLL) utilizando o conceito de fonte Kelvin. Os MOSFETs G7 combinam tecnologia CoolMOS™ G7 650V e 600V melhorada, recurso de fonte Kelvin de 4 pinos e as propriedades térmicas melhoradas do pacote TO-Leadless. Isto permite uma solução SMD para topologias de comutação pesada de alta corrente como correção de fator de potência (PFC) até 3kW. Para o CoolMOS™ G7 de 600V, os MOSFETs podem ser utilizados para circuitos ressonantes como LLC de alta qualidade.

Resultados: 12
Selecionar Imagem Número de peça Fabricante Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (USD) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade. Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia Estilo de montagem Caixa / Gabinete Polaridade do transistor Número de canais Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte Id - Corrente de drenagem contínua Rds On - Fonte de drenagem na resistência Vgs - Voltagem de porta e fonte Tensão de limite porta e fonte Qg - Carga na porta Temperatura operacional mínima Temperatura operacional máxima Pd - Dissipação de potência Modo de canal Nome comercial Embalagem
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER NEW 1,783Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 88 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 141 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW 1,354Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 1,700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 80 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 174 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW 2,005Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW 1,483Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 1,700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW 2,682Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 44 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW 2,804Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 4.7 V 17 nC - 55 C + 150 C 119 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER NEW 2,122Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 75 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 123 nC - 55 C + 150 C 391 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW 3,979Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2,000

Si CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW 21Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 1,700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER NEW Tempo de conclusão sem o estoque 12 semanas
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 108 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 27 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW Tempo de conclusão sem o estoque 17 semanas
Mín.: 2,000
Mult.: 2,000
Bobina: 2,000

Si CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW Tempo de conclusão 18 semanas
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2,000

Si CoolMOS Reel, Cut Tape