PrimePACK™3+ B-Series Modules

Infineon Technologies PrimePACK™3+ B-Series Modules are designed with Trench/Fieldstop IGBT5 and emitter-controlled 5 diodes. These modules feature extended operating temperature, high short-circuit capability, and unbeatable robustness. The PrimePACK™3+ modules offer high creepage and clearance distances, high power and thermal cycling capability, and high power density. These modules are ideal for high-power converters, motor drives, solar equipment, UPS systems, traction drives, and wind turbines.

Resultados: 6
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 Fabricante
Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (USD) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade.
Qtde RoHS Modelo ECAD Produto
Configuração
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor
Tensão de saturação do coletor - emissor
Corrente contínua do coletor a 25ºC
Corrente de dispersão do gate - emissor
Pd - Dissipação de potência
Caixa / Gabinete
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Embalagem
Infineon Technologies Módulos IGBT 1700 V, 1800 A dual IGBT module
Ficha técnica
2Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 2.1 V 1.8 kA 400 nA Module - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1700 V, 1500 A dual IGBT module
Ficha técnica
5Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.75 V 1.5 kA 400 nA 1.5 MW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module
Ficha técnica
6Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.7 V 1.5 kA 400 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 1500 A dual IGBT module
Ficha técnica
8Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.7 V 1.5 kA 400 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FF1500R17IP5PBPSA1
Infineon Technologies Módulos IGBT 1700 V, 1500 A dual IGBT module
Ficha técnica
2Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.75 V 1.5 kA 400 nA 1.5 MW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT PP IHM I
Ficha técnica
Tempo de conclusão 13 semanas
Mín.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules 1.2 kV 1.7 V 1.8 kA 400 nA 250 mm x 89 mm - 40 C + 175 C Tray