Automotive MDmesh V Power MOSFET

STMicroelectronics Automotive MDmesh™ V Power MOSFET is the industry’s first 650V AEC-Q101 automotive-qualified MOSFETs in the popular TO-247 package. The 650V rating provides a greater safety margin when exposed to high-voltage spikes, enhancing the reliability of automotive power and control modules. This device offers extremely low on-resistance (RDS(on)) as low as 0.032Ω, combined with the compact TO-247 outline, enhances system energy efficiency and power density. Gate charge (Qg) and input capacitance are also low, resulting in an outstanding Qg x RDS(on) figure of merit (FOM) with high switching performance and efficiency.

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 Fabricante
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Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia
Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Número de canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Vgs - Voltagem de porta e fonte
Tensão de limite porta e fonte
Qg - Carga na porta
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Pd - Dissipação de potência
Modo de canal
Qualificação
Nome comercial
Embalagem

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650 V 0.033 Ohm 69 A MDmesh(TM)
Ficha técnica
23Em estoque
267No pedido
Mín.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 69 A 24 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 203 nC - 55 C + 150 C 450 W Enhancement AEC-Q100 MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 46A Auto 0.041 Ohm MDMesh M5
Ficha técnica
1,200Esperado 09/03/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 710 V 46 A 41 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 142 nC - 55 C + 150 C 330 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Tube