Half Bridge IGBTs

Vishay Semiconductors Half Bridge IGBTs feature Trench IGBT technology and current ratings of 100A, 150A, and 200A. These IGBTs have low conduction losses, low junction-to-case thermal reduction, and a direct mounting to heatsink design. Half Bridge IGBTs offer Gen 4 FRED Pt® anti-parallel diodes with ultra-soft reverse recovery characteristics. Vishay Semiconductors Half Bridge IGBTs are optimized for high-current inverter stages, such as AC TIG welding machines.

Resultados: 5
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 Fabricante
Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (USD) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade.
Qtde RoHS Modelo ECAD Produto
Configuração
Tensão de saturação do coletor - emissor
Corrente contínua do coletor a 25ºC
Corrente de dispersão do gate - emissor
Pd - Dissipação de potência
Caixa / Gabinete
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Embalagem
Vishay Semiconductors Módulos IGBT Modules IGBT - IAP IGBT
Ficha técnica
13Em estoque
15Esperado 26/02/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 193 A 240 nA 517 W Module - 40 C + 175 C Bulk
Vishay Semiconductors Módulos IGBT Modules IGBT - IAP IGBT
Ficha técnica
30Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 372 A 360 nA 789 W Module - 40 C + 175 C Bulk
Vishay Semiconductors Módulos IGBT Modules IGBT - IAP IGBT
Ficha técnica
17Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 247 A 240 nA 517 W Module - 40 C + 175 C Bulk
Vishay Semiconductors Módulos IGBT Modules IGBT - IAP IGBT
Ficha técnica
12Em estoque
15Esperado 21/04/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 476 A 480 nA 1 kW Module - 40 C + 175 C Bulk
Vishay Semiconductors Módulos IGBT Modules IGBT - IAP IGBT
Ficha técnica
15Esperado 24/02/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 96 A 120 nA 259 W Module - 40 C + 175 C Bulk