SiC FETs de 4ª Geração UF4C/SC de 1200 V

Os FETs de SiC de 1200 V de 4.ª geração UF4C/SC da Qorvo são uma série de alto desempenho que oferece as melhores Figuras de Mérito do setor. Os FETs de SiC de 1200 V de 4.ª geração UF4C/SC são ideais para arquiteturas de barramento de 800 V em carregadores integrados de veículos elétricos, carregadores industriais de baterias, fontes de alimentação industriais, energias renováveis, armazenamento de energia, máquinas de soldagem, UPS e aplicações de aquecimento por indução. Disponível em opções de 23 mΩ a 70 mΩ, a série de 4ª Geração é baseada em uma configuração de cascode exclusiva na qual um SiC JFET de alto desempenho é co-embalado com um Si-MOSFET otimizado para cascode de modo a criar um dispositivo gate drive SiC padrão. Este recurso oferece flexibilidade no desenvolvimento de projetos sem alterar a tensão do gate drive, substituindo facilmente os Si IGBTs, os Si FETs, os SiC FETs e os dispositivos de superjunção Si.