PWD5F60 High Density Power Driver

STMicroelectronics PWD5F60 High Density Power Driver combines gate drivers and four N-channel power MOSFETs in a dual half-bridge configuration into a single, compact System-in-Package (SiP) device. The integrated power MOSFETs have a drain-source on resistance, or RDS(ON), of 1.38Ω and a drain-source breakdown voltage of 600V. The high side for the embedded gate drivers can be easily supplied by the integrated bootstrap diode. The high integration of the PWD5F60 Power Driver enables efficient drive loads in space-constrained applications.

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 Fabricante
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Qtde RoHS Modelo ECAD Produto
Tipo
Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Número de drivers
Número de saídas
Corrente de saída
Tensão de alimentação - Mín
Tensão de alimentação - Máx
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Série
Embalagem
STMicroelectronics Drivers de portas High-density power driver - High voltage full bridge with integrated comparators
Ficha técnica
330Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT VFQFPN-15 2 Driver 2 Output 3.5 A 10 V 20 V - 40 C + 125 C PWD5F60 Tray
STMicroelectronics Drivers de portas High-density power driver - High voltage full bridge with integrated comparators
Ficha técnica
403Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2,500

MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT VFQFPN-15 2 Driver 2 Output 3.5 A 10 V 20 V - 40 C + 125 C PWD5F60 Reel, Cut Tape