Resultados: 6
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 Fabricante
Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (USD) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade.
Qtde RoHS Modelo ECAD Estilo de montagem
Número de canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Vgs - Voltagem de porta e fonte
Tensão de limite porta e fonte
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
MACOM FETs GaN Die, DC - 4 GHz, 120W, G28V5-1C
Ficha técnica
50Em estoque
Mín.: 10
Mult.: 10
SMD/SMT 1 Channel 84 V 6 A 60 mOhms - 10 V, + 2 V - 2 V - 40 C + 85 C
MACOM FETs GaN Die, DC - 8 GHz, 5W, G28V5-1C
Ficha técnica
50Em estoque
Mín.: 10
Mult.: 10
1 Channel 84 V 750 mA 740 mOhms - 10 V, + 2 V - 2 V - 40 C + 85 C
MACOM FETs GaN Die, DC - 6 GHz, 45W, G28V5-1C
Ficha técnica
50Em estoque
Mín.: 10
Mult.: 10
SMD/SMT 1 Channel 84 V 4.5 A 110 mOhms - 10 V, + 2 V - 2 V - 40 C + 85 C
MACOM FETs GaN Die, DC - 8 GHz, 15W, G28V5-1C
Ficha técnica
50Esperado 24/04/2026
Mín.: 10
Mult.: 10
SMD/SMT 1 Channel 84 V 1.5 A 440 mOhms - 10 V, + 2 V - 2 V - 40 C + 85 C
MACOM FETs GaN Die, DC - 6 GHz, 30W, G28V5-1C
Ficha técnica
50Esperado 15/05/2026
Mín.: 10
Mult.: 10
SMD/SMT 1 Channel 84 V 3 A 220 mOhms - 10 V, + 2 V - 2 V - 40 C + 85 C
MACOM FETs GaN Die, DC - 4 GHz, 60W, G28V5-1C
Ficha técnica
50Esperado 10/04/2026
Mín.: 10
Mult.: 10
SMD/SMT 1 Channel 84 V 6 A 110 mOhms - 10 V, + 2 V - 2 V - 40 C + 85 C