PMVxx P-Channel Trench MOSFETs

Nexperia P-Channel Trench MOSFETS are enhancement mode field-effect transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. They employ Trench MOSFET technology and offer a low threshold voltage and very fast switching. These MOSFETs are ideal for such applications as relay drivers, high-speed line drivers, low-side loadswitches, and switching circuits.

Resultados: 4
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 Fabricante
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Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia
Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Número de canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Vgs - Voltagem de porta e fonte
Tensão de limite porta e fonte
Qg - Carga na porta
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Pd - Dissipação de potência
Modo de canal
Embalagem
Nexperia MOSFETs SOT23 P-CH 20V 3.6A
Ficha técnica
30,635Em estoque
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4.4 A 48 mOhms - 12 V, 12 V 900 mV 7.7 nC - 55 C + 150 C 1.096 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs PMV33UPE/SOT23/TO-236AB
Ficha técnica
1,932Em estoque
12,000No pedido
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 5.3 A 30 mOhms - 8 V, 8 V 950 mV 14.7 nC - 55 C + 150 C 980 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs SOT23 P-CH 20V 2.5A
Ficha técnica
22,741Em estoque
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.2 A 77 mOhms - 12 V, 12 V 900 mV 5 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs SOT23 P-CH 20V 3.6A
Ficha técnica
5,904Esperado 08/02/2027
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.6 A 60 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 7.7 nC - 55 C + 150 C 1.096 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel