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NTBG023N065M3S

Name: onsemi NTBG023N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBG023N065M3S
Price: 11.43 USD
Availability: InStock

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Nº da Mouser:

863-NTBG023N065M3S

Nº do fabricante:

NTBG023N065M3S

Fabricante.:

onsemi

Descrição:

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S

Vida Útil:

Novo Produto:

Novo no fabricante.

Ficha técnica:

NTBG023N065M3S Ficha técnica

Modelo ECAD:

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Atributo de produto	Valor do atributo	Selecionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoria de produto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montagem:	SMD/SMT
Caixa / Gabinete:	D2PAK-7
Polaridade do transistor:	N-Channel
Número de canais:	1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte:	650 V
Id - Corrente de drenagem contínua:	40 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência:	33 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte:	- 8 V, + 22 V
Tensão de limite porta e fonte:	4 V
Qg - Carga na porta:	69 nC
Temperatura operacional mínima:	- 55 C
Temperatura operacional máxima:	+ 175 C
Pd - Dissipação de potência:	263 W
Modo de canal:	Enhancement
Nome comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuração:	Single
Tempo de queda:	9.6 ns
Embalagem:	Reel
Embalagem:	Cut Tape
Produto:	SiC MOSFETS
Tipo de Produto:	SiC MOSFETS
Tempo de ascensão:	15 ns
Série:	NTBG023N065M3S
Quantidade do pacote de fábrica:	800
Subcategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tempo de retardo de desligamento típico:	35 ns
Tempo típico de ativação/retardo :	11 ns

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Ficha técnica

NTBG023N065M3S Ficha técnica

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NTBG025N065SC1 19mohm Silicon Carbide MOSFET

onsemi NTBG025N065SC1 19mohm Silicon Carbide MOSFET is housed in a D2PAK-7L package and designed to be fast and rugged. The onsemi NTBG025N065SC1 devices offer a 10x higher dielectric breakdown field strength and 2x higher electron saturation velocity. The MOSFETs also offer a 3x higher energy band gap and 3x higher thermal conductivity. All onsemi SiC MOSFETs include AEC-Q101 qualified and PPAP-capable options specifically engineered and qualified for automotive and industrial applications.

Energy Storage Solutions

onsemi Energy Storage Systems (ESS) store electricity from various power sources, like coal, nuclear, wind, and solar, in different forms, including batteries (electrochemical), compressed air (mechanical), and molten salt (thermal). This solution focuses on battery energy storage systems connected to solar inverter systems.

NTBG023N065M3S 23mΩ EliteSiC MOSFET

onsemi NTBG023N065M3S 23mΩ EliteSiC MOSFET offers an M3S planar technology for fast-switching applications in a D2PAK-7L package. This MOSFET features 650V drain-to-source voltage, 40A continuous drain current, 263W power dissipation, and 216A pulsed drain current. The NTBG023N065M3S MOSFET integrates an ultra-low gate charge and high-speed switching MOSFET with low capacitance (Coss = 153pF). This MOSFET operates at -55°C to 175°C temperature range and is 100% avalanche-tested. The NTBG023N065M3S MOSFET is Halide-free and RoHS compliant with a 7a exemption. Typical applications include Switching Mode Power Supplies (SMPS), solar inverters, UPS, energy storage, and EV charging infrastructure.