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LSIC1MO170E0750

Name: IXYS LSIC1MO170E0750
Brand: IXYS
SKU: 576-LSIC1MO170E0750
Price: 8.3 USD
Availability: InStock

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Nº da Mouser:

576-LSIC1MO170E0750

Nº do fabricante:

LSIC1MO170E0750

Fabricante.:

IXYS

Descrição:

MOSFETs de SiC TO247 1.7KV 4.4A N-CH SIC

Ficha técnica:

LSIC1MO170E0750 Ficha técnica (PDF)

Modelo ECAD:

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Qtde	Preço unitário	Ext. Preço
	$8.30	$8.30
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	$4.14	$414.00
	$4.13	$1,858.50
10,350	Cotação

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo de produto	Valor do atributo	Selecionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoria de produto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montagem:	Through Hole
Caixa / Gabinete:	TO-247-3
Polaridade do transistor:	N-Channel
Número de canais:	1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte:	1.7 kV
Id - Corrente de drenagem contínua:	6.2 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência:	1 Ohms
Vgs - Voltagem de porta e fonte:	- 5 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte:	4 V
Qg - Carga na porta:	13 nC
Temperatura operacional mínima:	- 55 C
Temperatura operacional máxima:	+ 175 C
Pd - Dissipação de potência:	60 W
Modo de canal:	Enhancement
Marca:	IXYS
Embalagem:	Tube
Tipo de Produto:	SiC MOSFETS
Série:	LSIC1MO
Quantidade do pacote de fábrica:	450
Subcategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC

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Ficha técnica

LSIC1MO170E0750 Ficha técnica (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SiC MOSFETs

Littelfuse SiC MOSFETs are optimized for high-frequency, high-efficiency applications. These robust SiC MOSFETs offer low gate charges, low output capacitance, and low gate resistance for high-frequency switching. These devices also feature extremely low drain-source on-state resistance. The low gate charge and on-resistance of these MOSFETs translate into lower conduction and switching losses, respectively. Littelfuse offers in-house designed, developed, and manufactured SiC MOSFETs with extremely low gate charge and output capacitance, industry-leading performance, and ruggedness at all temperatures. Littelfuse SiC MOSFETs are available in a range of varieties, including 1200V in 80mΩ, 120mΩ, and 160mΩ versions.

LSIC1MO170E0750 N-Channel SiC MOSFET

IXYS LSIC1MO170E0750 is a 750mΩ N-channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET optimized for high-frequency and high-efficiency applications. The low gate resistance and ultra-low on-resistance make it suitable for high-frequency switching applications. This device features extremely low gate charge and output capacitance, as well as normally-off operations at all temperatures. The IXYS LSIC1MO170E0750 is suitable for a variety of applications that utilize high-frequency switching, such as switch-mode power supplies, solar inverters, UPS systems, high voltage DC-DC converters, and more.