Parece que você desabilitou JavaScript no seu navegador. Algumas funções nesta página não funcionarão, a menos que você acesse.

Voltar para os Resultados da Pesquisa

Identificou algum erro?

RD3U041AAFRATL

Name: ROHM Semiconductor RD3U041AAFRATL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3U041AAFRATL
Price: 2.23 USD
Availability: InStock

As imagens são apenas para referência
Veja as especificações do produto

Nº da Mouser:

755-RD3U041AAFRATL

Nº do fabricante:

RD3U041AAFRATL

Fabricante.:

ROHM Semiconductor

Descrição:

MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 250V(Vdss), 4.1A(Id), (10V Drive)

Ficha técnica:

RD3U041AAFRATL Ficha técnica

Modelo ECAD:

Baixe o aplicativo gratuito Library Loader para converter este artigo para sua ferramenta ECAD. Saiba mais sobre o Modelo ECAD.

Mais informações

Saiba mais sobre ROHM Semiconductor RD3U041AAFRATL

Em estoque: 1,648

Estoque:: 1,648 Pode ser enviado imediatamente

Ocorreu um erro inesperado. Tente novamente mais tarde.
Tempo de entrega da fábrica:: 16 semanas Tempo estimado de produção de fábrica para quantidades acima do indicado.

Digite a quantidade:

Mínimo: 1 Vários: 1

Preço unitário:

$-.--

Ext. Preço:

$-.--

Est. Tarifa:

Preços (USD)

Qtde	Preço unitário	Ext. Preço
	$2.23	$2.23
	$1.43	$14.30
	$0.969	$96.90
	$0.774	$387.00
	$0.732	$732.00
Bobina cheia (pedidos em múltiplos de 2500)
	$0.642	$1,605.00
	$0.608	$3,040.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo de produto	Valor do atributo	Selecionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoria de produto:	MOSFETs
RoHS:
Tecnologia:	Si
Estilo de montagem:	SMD/SMT
Caixa / Gabinete:	TO-252-3
Polaridade do transistor:	N-Channel
Número de canais:	1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte:	250 V
Id - Corrente de drenagem contínua:	4 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência:	1.3 Ohms
Vgs - Voltagem de porta e fonte:	- 30 V, 30 V
Tensão de limite porta e fonte:	5.5 V
Qg - Carga na porta:	8.5 nC
Temperatura operacional mínima:	- 55 C
Temperatura operacional máxima:	+ 150 C
Pd - Dissipação de potência:	29 W
Modo de canal:	Enhancement
Embalagem:	Reel
Embalagem:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuração:	Single
Tempo de queda:	15 ns
Tipo de Produto:	MOSFETs
Tempo de ascensão:	14 ns
Série:	RD3
Quantidade do pacote de fábrica:	2500
Subcategoria:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tempo de retardo de desligamento típico:	18 ns
Tempo típico de ativação/retardo :	15 ns
Aliases de núm de peça:	RD3U041AAFRA
Peso unitário:	330 mg

Produtos encontrados:

Para mostrar produtos similares, selecione pelo menos uma opção

Selecione pelo menos uma caixa de seleção acima para mostrar produtos similares nesta categoria.

Atributos selecionados: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

Filtrar documento:

Ficha técnica

RD3U041AAFRATL Ficha técnica

Specification Sheets

Esta funcionalidade requer o JavaScript para ser habilitada.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

RD3U041AAFRA N-Ch 250V 4A Power MOSFET

ROHM Semiconductor RD3U041AAFRA N-Ch 250V 4A Power MOSFET features low on-resistance and fast switching. With simple drive circuits and a 250V drain-source voltage, the RD3U041AAFRA is suitable for switching applications. The ROHM RD3U041AAFRA N-Ch 250V 4A Power MOSFET is an automotive-grade MOSFET, which is AEC-Q101 qualified.