60V TrenchT3 HiPerFET Power MOSFETs

IXYS 60V TrenchT3™ HiPerFET™ Power MOSFETs are ultra-low on-resistance, rugged devices designed for industrial power conversion applications. TrenchT3 HiPerFET MOSFETs offer on-resistance as low as 3.1mΩ and withstand a junction temperature up to +175°C. The series is also avalanche rated at high avalanche current levels. Due to the high-current carrying capability of the TrenchT3 HiPerFET Power MOSFETs, paralleling multiple devices may not be necessary. This simplifies the power system and improves its reliability at the same time. The fast intrinsic body diode of TrenchT3 HiPerFET MOSFETs helps achieve high efficiency, especially during high-speed switching. IXYS 60V TrenchT3 HiPerFET Power MOSFETs are available in TO-220, TO-263, and TO-247 international standard size packages for design flexibility.

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 Fabricante
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Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia
Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Número de canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Vgs - Voltagem de porta e fonte
Tensão de limite porta e fonte
Qg - Carga na porta
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Pd - Dissipação de potência
Modo de canal
Nome comercial
Embalagem

IXYS MOSFETs 60V/220A TrenchT3
Ficha técnica
Não estocado
Mín.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 60 V 220 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 136 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 60V/270A TrenchT3
Ficha técnica
Não estocado
Mín.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 270 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 200 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube