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NTHL025N065SC1

Name: onsemi NTHL025N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTHL025N065SC1
Price: 15.46 USD
Availability: InStock

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Nº da Mouser:

863-NTHL025N065SC1

Nº do fabricante:

NTHL025N065SC1

Fabricante.:

onsemi

Descrição:

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V

Ficha técnica:

NTHL025N065SC1 Ficha técnica

Modelo ECAD:

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	$11.68	$5,256.00
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Atributo de produto	Valor do atributo	Selecionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoria de produto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montagem:	Through Hole
Caixa / Gabinete:	TO-247-3
Polaridade do transistor:	N-Channel
Número de canais:	1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte:	650 V
Id - Corrente de drenagem contínua:	99 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência:	28.5 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte:	- 8 V, + 22 V
Tensão de limite porta e fonte:	4.3 V
Qg - Carga na porta:	164 nC
Temperatura operacional mínima:	- 55 C
Temperatura operacional máxima:	+ 175 C
Pd - Dissipação de potência:	348 W
Modo de canal:	Enhancement
Nome comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuração:	Single
Tempo de queda:	9 ns
Transcondutância em avanço - Mín:	27 S
Embalagem:	Tube
Tipo de Produto:	SiC MOSFETS
Tempo de ascensão:	51 ns
Série:	NTHL025N065SC1
Quantidade do pacote de fábrica:	450
Subcategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Tempo de retardo de desligamento típico:	34 ns
Tempo típico de ativação/retardo :	18 ns

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Ficha técnica

NTHL025N065SC1 Ficha técnica

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTHL025N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET

onsemi NTHL025N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET provides superior switching performance and higher reliability. The MOSFET has ON resistance and its compact chip size ensures low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include the highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi 650V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon (Si). These 650V SiC MOSFETs have low ON resistance and a compact chip size to ensure low capacitance and gate charge. Benefits include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low R_DS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.