BC846B-Q

Diotec Semiconductor
637-BC846B-Q
BC846B-Q

Fabricante.:

Descrição:
Transistores bipolares de junção - BJT BJT, SOT-23, 65V, 100mA, NPN, 0.25W, 150C

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Atributo de produto Valor do atributo Selecionar atributo
Diotec Semiconductor
Categoria de produto: Transistores bipolares de junção - BJT
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
NPN
Single
100 mA
65 V
80 V
6 V
200 mV
250 mW
300 MHz
- 55 C
+ 150 C
Reel
Marca: Diotec Semiconductor
Tensão do coletor contínua: 100 mA
hFE máx. de ganho de corrente DC: 800 V
Tipo de Produto: BJTs - Bipolar Transistors
Subcategoria: Transistors
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USHTS:
8541290095
TARIC:
8541210000
ECCN:
EAR99

BC846B-Q SMD General-Purpose NPN Transistor

Diotec Semiconductor BC846B-Q SMD General-Purpose NPN Transistor features three current gain groups in a SOT-23 package and complies with RoHS and REACH. This transistor operates at 65V collector-emitter voltage, 80V collector-base voltage, 6V emitter-base voltage, and 200mA peak collector current. The BC846B-Q NPN transistor utilizes bond wires for commercial grades and AU bond wires for all other grades. The commercial-grade transistor features 200mW of power dissipation with <625K/W thermal resistance junction to ambient. The industrial-grade transistor features 250mW of power dissipation with <420K/W thermal resistance junction to ambient. The BC846B-Q NPN transistor is housed in a UL 94V-0 case material and available in a small SOT-363 Surface-Mount Device (SMD) package. This NPN transistor is ideal for signal processing, switching, amplification, and commercial and industrial-grade use.