NXH040P120MNF1 SiC Module

onsemi NXH040P120MNF1 SiC Module contains a 40Mohm 1200V SiC MOSFET half-bridge and an NTC thermistor in an F1 module. The module has a recommended gate voltage of 18V to 20V. The NXH040P120MNF1 features an improved RDS(ON) at a higher voltage and low thermal resistance

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 Fabricante
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Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia
Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Vgs - Voltagem de porta e fonte
Tensão de limite porta e fonte
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Pd - Dissipação de potência
Série
Embalagem

onsemi Módulos MOSFET PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 40MOHM
Ficha técnica
56Disponível no estoque da fábrica
Mais informações disponíveis
Mín.: 1
Mult.: 1
SiC Press Fit Module N-Channel 1.2 kV 30 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 1.8 V - 40 C + 150 C 113 W NXH040P120MNF1 Tray

onsemi Módulos MOSFET PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 40MOHM
Ficha técnica
84Disponível no estoque da fábrica
Mais informações disponíveis
Mín.: 28
Mult.: 28

SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH040P120MNF1 Tray