OptiMOS™ 5 Linear FET 2 MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 5 Linear FET 2 MOSFETs are optimized for hot-swap and e-fuse applications, offering exceptional performance with very low on-resistance RDS(on) and a wide safe operating area (SOA). These N-channel, normal-level MOSFETs are 100% avalanche-tested for reliability and feature Pb-free lead plating, ensuring RoHS compliance. Additionally, the MOSFETs are halogen-free by IEC61249-2-21 standards, making them eco-friendly for demanding applications.

Resultados: 3
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 Fabricante
Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (USD) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade.
Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia
Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Número de canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Vgs - Voltagem de porta e fonte
Tensão de limite porta e fonte
Qg - Carga na porta
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Pd - Dissipação de potência
Modo de canal
Nome comercial
Embalagem
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Ficha técnica
5,674Em estoque
2,000Esperado 02/03/2026
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2,000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 321 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 165 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Ficha técnica
1,699Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2,000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 243 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 115 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 5 single N-channel Linear FET 2 100 V, 176 A in 8 mm x 8 mm footprint
Ficha técnica
12,730No pedido
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 284 A 1.7 mOhms 20 V 3.45 V 142 nC - 55 C + 175 C 349 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel