QPA1111 Power Amplifiers

Qorvo QPA1111 Power Amplifiers are high-power, packaged X-Band MMIC amplifiers fabricated using 0.15μm GaN-on-SiC process (QGaN15). These amplifiers operate from 8.5GHz to 10.5GHz frequency range and a storage temperature of -55°C to 150°C range. The QPA1111 amplifiers offer 30W saturated output power with a power-added efficiency of 45% and a small signal gain of 38dB. These amplifiers are fully matched to 50Ω with DC-grounded I/O ports for optimum ESD performance and to simplify system integration. The QPA1111 power amplifiers are 100% DC and RF tested to ensure compliance with electrical specifications and are ideal for radar, satellite communications, and datalink applications.

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 Fabricante
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Qtde RoHS Modelo ECAD Frequência operacional
Tensão de alimentação operacional
Corrente de Alimentação Operativa
Ganho
Tipo
Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Tecnologia
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Série
Embalagem
Qorvo Amplificadores de RF 30W X-Band MMIC PA
Ficha técnica
40Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

8.5 GHz to 10.5 GHz 22 V 620 mA 27 dB Power Amplifiers SMD/SMT QFN-40 GaN SiC - 40 C + 85 C QPA1111 Reel
Qorvo Amplificadores de RF 30W X-Band MMIC PA
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 14 semanas
Mín.: 250
Mult.: 250
Bobina: 250
8.5 GHz to 10.5 GHz 38 dB Power Amplifiers SMD/SMT GaN - 40 C + 85 C QPA1111 Reel