IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules

Infineon Technologies IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules are based on micro-pattern trench technology that reduces losses and offers high controllability. The cell concept is characterized by implementing parallel trench cells separated by sub-micron mesas in contrast to square trench cells. A specially optimized chip for industrial drive applications and solar energy systems provides low static losses, high power density, and soft switching. With a +175°C maximum operating temperature, the modules allow a significant increase in power density.

Resultados: 10
Selecionar Imagem Número de peça Fabricante Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (USD) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade. Qtde RoHS Modelo ECAD Produto Configuração Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor Tensão de saturação do coletor - emissor Corrente contínua do coletor a 25ºC Corrente de dispersão do gate - emissor Temperatura operacional mínima Temperatura operacional máxima Embalagem
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module 6Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 890 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 450 A dual IGBT module 17Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 300 A dual IGBT module 25Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 300 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 2300 V, 1800 A dual IGBT module
2Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module 18Em estoque
20Esperado 06/05/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module 10Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module
20Esperado 28/04/2026
Mín.: 1
Mult.: 1
Não
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT PP IHM I
Tempo de conclusão sem o estoque 14 semanas
Mín.: 1
Mult.: 1

Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 750 A dual IGBT module Tempo de conclusão sem o estoque 14 semanas
Mín.: 10
Mult.: 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1700 V, 750 A dual IGBT module Tempo de conclusão sem o estoque 14 semanas
Mín.: 10
Mult.: 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray