NXH020P120MNF1 SiC Module

onsemi NXH020P120MNF1 SiC Module contains a 20Mohm 1200V SiC MOSFET half-bridge and an NTC thermistor in an F1 module. The module has a recommended gate voltage of 18V to 20V. The NXH020P120MNF1 features an improved RDS(ON) at higher voltage and low thermal resistance.

Resultados: 2
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 Fabricante
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Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia
Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Vgs - Voltagem de porta e fonte
Tensão de limite porta e fonte
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Pd - Dissipação de potência
Série
Embalagem

onsemi Módulos MOSFET PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 20MOHM
Ficha técnica
28Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
SiC Press Fit Module N-Channel 1.2 kV 51 A 30 mOhms - 15 V, + 25 V 1.8 V - 40 C + 150 C 211 W NXH020P120MNF1 Tray

onsemi Módulos MOSFET PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 20MOHM
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 17 semanas
Mín.: 28
Mult.: 28

SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH020P120MNF1 Tray