MOSFETs de SiC – Mouser Brasil

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MOSFETs de potência de carboneto de silício de nível automotivo

MOSFETs de potência de carboneto de silício de nível automotivo da STMicroelectronics são desenvolvidos utilizando a avançada e inovadora tecnologia de MOSFET SiC de 2.ª/3.ª geração da ST. Os dispositivos apresentam baixa resistência na condução por unidade de área e desempenho de comutação muito bom. Os MOSFETs apresentam uma capacidade de temperatura de operação muito alta (TJ = 200°C) e um rápido e robusto díodo de corpo intrínseco.

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Resultados: 18

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Caixa / Gabinete

Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte

Id - Corrente de drenagem contínua

Rds On - Fonte de drenagem na resistência

Vgs - Voltagem de porta e fonte

Tensão de limite porta e fonte

Qg - Carga na porta

Temperatura operacional máxima

Pd - Dissipação de potência

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Número de peça

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

SCTW40N120G2VAG
STMicroelectronics
1: $18.41
551Em estoque

Fabricante Nº de ref.:
SCTW40N120G2VAG

Nº de ref. da Mouser #
511-SCTW40N120G2VAG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

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Ficha técnica

551Em estoque

$18.41

$11.42

$10.66

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

100 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.9 V

61 nC

- 55 C

+ 200 C

278 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

SCT012W90G3-4AG
STMicroelectronics
1: $22.20
632Em estoque
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
SCT012W90G3-4AG

Nº de ref. da Mouser #
511-SCT012W90G3-4AG

Novo Produto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

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Ficha técnica

632Em estoque

$22.20

$13.99

Cotação

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

110 A

15.8 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

138 nC

- 55 C

+ 200 C

625 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package

SCT016H120G3AG
STMicroelectronics
1: $24.97
521Em estoque
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
SCT016H120G3AG

Nº de ref. da Mouser #
511-SCT016H120G3AG

Novo Produto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package

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Ficha técnica

521Em estoque

Corte de fita

$24.97

$18.05

$17.78

$17.17

Bobina

$15.73

MouseReel disponível

Mín.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

112 A

22 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

652 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

SCT020HU120G3AG
STMicroelectronics
1: $22.76
206Em estoque
600Esperado 22/03/2027
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
SCT020HU120G3AG

Nº de ref. da Mouser #
511-SCT020HU120G3AG

Novo Produto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

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Ficha técnica

206Em estoque

600Esperado 22/03/2027

Corte de fita

$22.76

$17.00

$14.70

Bobina

$13.01

MouseReel disponível

Mín.: 1
Mult.: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

100 A

28 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

121 nC

- 55 C

555 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package

SCT040HU120G3AG
STMicroelectronics
1: $14.45
590Em estoque
600Esperado 10/08/2026
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
SCT040HU120G3AG

Nº de ref. da Mouser #
511-SCT040HU120G3AG

Novo Produto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package

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Ficha técnica

590Em estoque

600Esperado 10/08/2026

Corte de fita

$14.45

$10.12

$9.36

Bobina

$8.18

$7.79

MouseReel disponível

Mín.: 1
Mult.: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

SCT020W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: $20.23
362Em estoque

Fabricante Nº de ref.:
SCT020W120G3-4AG

Nº de ref. da Mouser #
511-SCT020W120G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

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Ficha técnica

362Em estoque

$20.23

$12.65

$12.03

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

Hip247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

100 A

28 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

121 nC

- 55 C

+ 200 C

541 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

SCT025W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: $20.36
341Em estoque
1,200Esperado 31/08/2026

Fabricante Nº de ref.:
SCT025W120G3-4AG

Nº de ref. da Mouser #
511-SCT025W120G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

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Ficha técnica

341Em estoque

1,200Esperado 31/08/2026

$20.36

$14.56

$12.55

$11.14

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

SCT025W120G3AG
STMicroelectronics
1: $18.95
433Em estoque

Fabricante Nº de ref.:
SCT025W120G3AG

Nº de ref. da Mouser #
511-SCT025W120G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

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Ficha técnica

433Em estoque

$18.95

$11.79

$11.06

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

SCT040W120G3AG
STMicroelectronics
1: $13.89
505Em estoque

Fabricante Nº de ref.:
SCT040W120G3AG

Nº de ref. da Mouser #
511-SCT040W120G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

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Ficha técnica

505Em estoque

$13.89

$9.76

$7.45

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055HU65G3AG
STMicroelectronics
1: $13.53
1,092Em estoque

Fabricante Nº de ref.:
SCT055HU65G3AG

Nº de ref. da Mouser #
511-SCT055HU65G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

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Ficha técnica

1,092Em estoque

Corte de fita

$13.53

$10.31

$8.59

Bobina

$7.50

$7.15

MouseReel disponível

Mín.: 1
Mult.: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

185 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

SCT012H90G3AG
STMicroelectronics
1: $22.01
54Em estoque
1,000Esperado 17/08/2026

Fabricante Nº de ref.:
SCT012H90G3AG

Nº de ref. da Mouser #
511-SCT012H90G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

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Ficha técnica

54Em estoque

1,000Esperado 17/08/2026

Corte de fita

$22.01

$15.79

$14.34

$14.33

Bobina

$13.40

Mín.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

900 V

110 A

12 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

138 nC

- 55 C

+ 175 C

625 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A

SCT040HU65G3AG
STMicroelectronics
1: $13.63
124Em estoque

Fabricante Nº de ref.:
SCT040HU65G3AG

Nº de ref. da Mouser #
511-SCT040HU65G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A

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Ficha técnica

124Em estoque

Corte de fita

$13.63

$9.51

$7.73

Bobina

$7.22

MouseReel disponível

Mín.: 1
Mult.: 1

: 600

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

650 V

7 A

40 mOhms

- 30 V, + 30 V

5 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

266 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package

SCT011HU75G3AG
STMicroelectronics
1: $28.03
3Em estoque
1,200No pedido
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
SCT011HU75G3AG

Nº de ref. da Mouser #
511-SCT011HU75G3AG

Novo Produto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package

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Ficha técnica

3Em estoque

1,200No pedido

Corte de fita

$28.03

$19.43

$18.39

Bobina

$17.16

MouseReel disponível

Mín.: 1
Mult.: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

750 V

110 A

15 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.2 V

154 nC

- 55 C

+ 175 C

652 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT025H120G3AG
STMicroelectronics
1: $18.36
1,997Esperado 12/10/2026
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
SCT025H120G3AG

Nº de ref. da Mouser #
511-SCT025H120G3AG

Novo Produto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

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Ficha técnica

1,997Esperado 12/10/2026

Corte de fita

$18.36

$13.03

$11.37

Bobina

$10.62

Mín.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

SCT015W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: $32.08
600Esperado 15/06/2026

Fabricante Nº de ref.:
SCT015W120G3-4AG

Nº de ref. da Mouser #
511-SCT015W120G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

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Ficha técnica

600Esperado 15/06/2026

$32.08

$22.72

$21.16

Cotação

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

129 A

15 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

167 nC

- 55 C

+ 200 C

673 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package

SCT040H120G3AG
STMicroelectronics
1: $13.63
996Esperado 07/09/2026

Fabricante Nº de ref.:
SCT040H120G3AG

Nº de ref. da Mouser #
511-SCT040H120G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package

Obter mais informações

Ficha técnica

996Esperado 07/09/2026

Corte de fita

$13.63

$9.51

$7.73

Bobina

$7.22

Mín.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

SCT070HU120G3AG
STMicroelectronics
1: $14.19
1,199Esperado 02/07/2026

Fabricante Nº de ref.:
SCT070HU120G3AG

Nº de ref. da Mouser #
511-SCT070HU120G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

Obter mais informações

Ficha técnica

1,199Esperado 02/07/2026

Corte de fita

$14.19

$9.90

$8.46

Bobina

$7.90

Mín.: 1
Mult.: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

223 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

SCT040W120G3-4
STMicroelectronics
1: $13.60
100No pedido
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
SCT040W120G3-4

Nº de ref. da Mouser #
511-SCT040W120G3-4

Novo Produto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

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Ficha técnica

100No pedido

$13.60

$9.49

$8.60

$8.03

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de potência de carboneto de silício de nível automotivo

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