MOSFETs de SiC – Mouser Brasil

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MOSFETs de potência de carboneto de silício de nível automotivo

MOSFETs de potência de carboneto de silício de nível automotivo da STMicroelectronics são desenvolvidos utilizando a avançada e inovadora tecnologia de MOSFET SiC de 2.ª/3.ª geração da ST. Os dispositivos apresentam baixa resistência na condução por unidade de área e desempenho de comutação muito bom. Os MOSFETs apresentam uma capacidade de temperatura de operação muito alta (TJ = 200°C) e um rápido e robusto díodo de corpo intrínseco.

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Resultados: 21

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Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte

Id - Corrente de drenagem contínua

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Vgs - Voltagem de porta e fonte

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Qg - Carga na porta

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Pd - Dissipação de potência

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Número de peça

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package

SCT016H120G3AG
STMicroelectronics
1: $23.32
922Em estoque
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
SCT016H120G3AG

Nº de ref. da Mouser #
511-SCT016H120G3AG

Novo Produto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package

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922Em estoque

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$23.32

$16.86

$16.85

$16.83

Bobina

$13.75

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Mín.: 1
Mult.: 1

Bobina: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

112 A

22 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

652 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package

SCT011HU75G3AG
STMicroelectronics
1: $25.01
274Em estoque
600Esperado 09/03/2026
Novo Produto

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SCT011HU75G3AG

Nº de ref. da Mouser #
511-SCT011HU75G3AG

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STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package

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274Em estoque

600Esperado 09/03/2026

Corte de fita

$25.01

$18.38

$18.37

Bobina

$15.01

MouseReel disponível

Mín.: 1
Mult.: 1

Bobina: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

750 V

110 A

15 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.2 V

154 nC

- 55 C

+ 175 C

652 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

SCT012W90G3-4AG
STMicroelectronics
1: $20.75
640Em estoque
Novo Produto

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SCT012W90G3-4AG

Nº de ref. da Mouser #
511-SCT012W90G3-4AG

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STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

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640Em estoque

$20.75

$17.69

$15.30

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

110 A

15.8 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

138 nC

- 55 C

+ 200 C

625 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

SCT020HU120G3AG
STMicroelectronics
1: $20.51
739Em estoque
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Fabricante Nº de ref.:
SCT020HU120G3AG

Nº de ref. da Mouser #
511-SCT020HU120G3AG

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STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

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739Em estoque

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$20.51

$16.99

$14.69

Bobina

$13.63

Cotação

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Mín.: 1
Mult.: 1

Bobina: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

100 A

28 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

121 nC

- 55 C

555 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

SCT020W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: $19.10
513Em estoque
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SCT020W120G3-4AG

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513Em estoque

$19.10

$15.76

$15.63

$15.36

Exibir

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

Hip247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

100 A

28 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

121 nC

- 55 C

+ 200 C

541 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

SCT025W120G3AG
STMicroelectronics
1: $18.05
502Em estoque
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SCT025W120G3AG

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511-SCT025W120G3AG

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STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

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502Em estoque

$18.05

$14.45

$12.49

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package

SCT040HU120G3AG
STMicroelectronics
1: $13.51
1,011Em estoque
600Esperado 14/12/2026
Novo Produto

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SCT040HU120G3AG

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511-SCT040HU120G3AG

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STMicroelectronics

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600Esperado 14/12/2026

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$13.51

$9.46

$8.34

Bobina

$8.18

$7.07

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Mín.: 1
Mult.: 1

Bobina: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT025H120G3AG
STMicroelectronics
1: $17.16
14Em estoque
2,000Esperado 12/10/2026
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SCT025H120G3AG

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511-SCT025H120G3AG

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2,000Esperado 12/10/2026

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$12.18

$11.37

Bobina

$9.28

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Mult.: 1

Bobina: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

SCT012H90G3AG
STMicroelectronics
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SCT012H90G3AG

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511-SCT012H90G3AG

STMicroelectronics

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160Em estoque

Corte de fita

$20.55

$14.76

$14.34

Bobina

$11.71

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Mult.: 1

Bobina: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

900 V

110 A

12 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

138 nC

- 55 C

+ 175 C

625 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

SCT040W120G3AG
STMicroelectronics
1: $13.04
629Em estoque

Fabricante Nº de ref.:
SCT040W120G3AG

Nº de ref. da Mouser #
511-SCT040W120G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

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629Em estoque

$13.04

$9.12

$6.90

$6.52

$6.51

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A

SCT040HU65G3AG
STMicroelectronics
1: $12.68
142Em estoque

Fabricante Nº de ref.:
SCT040HU65G3AG

Nº de ref. da Mouser #
511-SCT040HU65G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A

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Ficha técnica

142Em estoque

Corte de fita

$12.68

$8.89

$7.73

Bobina

$6.32

$6.31

MouseReel disponível

Mín.: 1
Mult.: 1

Bobina: 600

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

650 V

7 A

40 mOhms

- 30 V, + 30 V

5 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

266 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

SCT070HU120G3AG
STMicroelectronics
1: $13.65
73Em estoque
1,200Esperado 16/03/2026

Fabricante Nº de ref.:
SCT070HU120G3AG

Nº de ref. da Mouser #
511-SCT070HU120G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

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Ficha técnica

73Em estoque

1,200Esperado 16/03/2026

Corte de fita

$13.65

$9.56

$8.46

Bobina

$6.90

Mín.: 1
Mult.: 1

Bobina: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

223 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

SCTW40N120G2VAG
STMicroelectronics
1: $17.20
593Em estoque

Fabricante Nº de ref.:
SCTW40N120G2VAG

Nº de ref. da Mouser #
511-SCTW40N120G2VAG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

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Ficha técnica

593Em estoque

$17.20

$10.67

$9.32

$9.31

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

100 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.9 V

61 nC

- 55 C

+ 200 C

278 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247-4 package

SCTWA40N12G24AG
STMicroelectronics
1: $17.56
90Em estoque

Fabricante Nº de ref.:
SCTWA40N12G24AG

Nº de ref. da Mouser #
511-SCTWA40N12G24AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247-4 package

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Ficha técnica

90Em estoque

$17.56

$12.48

$9.62

$9.56

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

33 A

105 mOhms

- 18 V, + 18 V

5 V

63 nC

- 55 C

+ 200 C

290 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

SCT015W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: $24.23
600Esperado 27/07/2026

Fabricante Nº de ref.:
SCT015W120G3-4AG

Nº de ref. da Mouser #
511-SCT015W120G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

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Ficha técnica

600Esperado 27/07/2026

$24.23

$19.83

$17.51

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

129 A

15 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

167 nC

- 55 C

+ 200 C

673 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

SCT025W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: $18.17
1,200No pedido

Fabricante Nº de ref.:
SCT025W120G3-4AG

Nº de ref. da Mouser #
511-SCT025W120G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

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Ficha técnica

1,200No pedido

$18.17

$14.55

$12.58

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package

SCT040H120G3AG
STMicroelectronics
1: $12.68
996Esperado 22/04/2026

Fabricante Nº de ref.:
SCT040H120G3AG

Nº de ref. da Mouser #
511-SCT040H120G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package

Obter mais informações

Ficha técnica

996Esperado 22/04/2026

Corte de fita

$12.68

$8.89

$7.73

$7.72

Bobina

$6.31

Mín.: 1
Mult.: 1

Bobina: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055HU65G3AG
STMicroelectronics
1: $12.51
1,113Esperado 10/03/2026

Fabricante Nº de ref.:
SCT055HU65G3AG

Nº de ref. da Mouser #
511-SCT055HU65G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

Obter mais informações

Ficha técnica

1,113Esperado 10/03/2026

Corte de fita

$12.51

$8.82

$7.65

Bobina

$6.25

MouseReel disponível

Mín.: 1
Mult.: 1

Bobina: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

185 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT025H120G3-7
STMicroelectronics
1: $16.78
100No pedido
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
SCT025H120G3-7

Nº de ref. da Mouser #
511-SCT025H120G3-7

Novo Produto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

Obter mais informações

Ficha técnica

100No pedido

Corte de fita

$16.78

$12.98

$11.22

Bobina

$11.22

Mín.: 1
Mult.: 1

Bobina: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

SCT040W120G3-4
STMicroelectronics
1: $11.38
100No pedido
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
SCT040W120G3-4

Nº de ref. da Mouser #
511-SCT040W120G3-4

Novo Produto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

Obter mais informações

Ficha técnica

100No pedido

$11.38

$9.27

$7.72

$6.88

$5.84

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package

SCTWA40N120G2V
STMicroelectronics
1: $18.04
Tempo de conclusão sem o estoque 32 semanas
NRND

Fabricante Nº de ref.:
SCTWA40N120G2V

Nº de ref. da Mouser #
511-SCTWA40N120G2V

NRND

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an HiP247 package

Obter mais informações

Ficha técnica

Tempo de conclusão sem o estoque 32 semanas

$18.04

$13.74

$11.55

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

100 mOhms

- 10 V, + 22 V

2.45 V

61 nC

- 55 C

+ 200 C

278 W

Enhancement

MOSFETs de potência de carboneto de silício de nível automotivo

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