SSM6N357R & SSM3K357R Low ON-Resistance MOSFETs

Toshiba SSM6N357R and SSM3K357R Low ON-Resistance MOSFETs are silicon N-channel components designed for relay driver applications. The SSM6N357R,LF comes with two channels, whereas the SSM3K357R,LF comes with a single channel. These AEC-Q101-qualified MOSFETs feature a 3V gate drive voltage, built-in internal Zener diodes/resistors, and a 2kV class Human Body Model (HBM) ESD rating. The low ON-resistance MOSFETs offer 60V drain-source voltage, ±12V gate-source voltage, +150°C maximum channel temperature, and 12.6mJ single-pulse avalanche energy.

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 Fabricante
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Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia
Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Número de canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Vgs - Voltagem de porta e fonte
Tensão de limite porta e fonte
Qg - Carga na porta
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Pd - Dissipação de potência
Modo de canal
Qualificação
Nome comercial
Embalagem
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V
Ficha técnica
Comentários de produto
8,626Em estoque
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 60 V 650 mA 1.8 Ohms - 12 V, 12 V 1.3 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V
Ficha técnica
Comentários de produto
5,106Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 3,000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 2 Channel 60 V 650 mA 1.8 Ohms - 12 V, 12 V 1.3 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape