Resultados: 10
Selecionar Imagem Número de peça Fabricante Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (USD) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade. Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia Estilo de montagem Caixa / Gabinete Polaridade do transistor Número de canais Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte Id - Corrente de drenagem contínua Rds On - Fonte de drenagem na resistência Vgs - Voltagem de porta e fonte Tensão de limite porta e fonte Qg - Carga na porta Temperatura operacional mínima Temperatura operacional máxima Pd - Dissipação de potência Modo de canal Embalagem
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V 721Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 1,000

Si SMD/SMT TO263-7 N-Channel 1 Channel 135 V 207 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 104 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V 1,668Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 1,000

Si SMD/SMT TO263-7 N-Channel 1 Channel 135 V 250 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 160 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V 915Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 1,800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 135 V 297 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 159 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V 1,332Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 1,800

Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 135 V 297 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 159 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V 1,699Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 1,800

Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 135 V 212 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 104 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V 3,917Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 5,000

Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 135 V 172 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 82 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V 4,813Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 135 V 142 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V 363Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 135 V 98 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 43 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V 570Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 135 V 54 A 14.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 21 nC 95 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V 117Em estoque
8,000Esperado 12/03/2026
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2,000

Si Reel, Cut Tape