NXH010P90MNF1 SiC Module

onsemi NXH010P90MNF1 SiC Module contains a 10Mohm 900V SiC MOSFET half-bridge and an NTC thermistor in an F1 module. The module has a recommended gate voltage of 15V to 18V. The NXH010P90MNF1 has an improved RDS(ON) at a higher voltage and low thermal resistance.

Resultados: 2
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 Fabricante
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Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia
Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Vgs - Voltagem de porta e fonte
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Pd - Dissipação de potência
Série
Embalagem
onsemi Módulos MOSFET PIM F1 SIC HALFBRIDGE 900V 10MOHM
Ficha técnica
8Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
SiC Press Fit Module N-Channel 900 V 154 A 14 mOhms - 8 V, + 18 V - 40 C + 150 C 328 W NXH010P90MNF1 Tray
onsemi Módulos MOSFET PIM F1 SIC HALFBRIDGE 900V 10MOHM
Ficha técnica
28Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH010P90MNF1 Tray