DMT31M8LFVWQ 30V N-Ch Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Incorporated DMT31M8LFVWQ 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs provide low on-resistance in a thermally efficient small form factor package. The devices offer superior switching performance and are ideal for high-efficiency power management applications. The Diodes Inc. DMT31M8LFVWQ MOSFETs are available in a PowerDI®3333-8 package with a wettable flank for improved optical inspection.

Resultados: 2
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 Fabricante
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Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia
Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Número de canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Vgs - Voltagem de porta e fonte
Tensão de limite porta e fonte
Qg - Carga na porta
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Pd - Dissipação de potência
Modo de canal
Embalagem
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K
Ficha técnica
3,000Em estoque
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 3,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 24 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 43.1 nC - 55 C + 150 C 3.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 16 semanas
Mín.: 2,000
Mult.: 2,000
Bobina: 2,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 138 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 43.1 nC - 55 C + 150 C 3.5 W Enhancement Reel