FDMS366xS PowerTrench® Power Stage MOSFETs

onsemi's FDMS366xS PowerTrench® Power Stage MOSFETs include two specialized N-Channel MOSFETs in a dual PQFN package. Low inductance packaging shortens rise/fall times, resulting in lower switching losses. Integration of the two MOSFETs enables optimum layout for lower circuit inductance and reduced switch node ringing. The switch node has been internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET (Q1) and synchronous SyncFET (Q2) have been designed to provide optimal power efficiency.

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 Fabricante
Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (USD) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade.
Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia
Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Número de canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Vgs - Voltagem de porta e fonte
Tensão de limite porta e fonte
Qg - Carga na porta
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Pd - Dissipação de potência
Modo de canal
Nome comercial
Embalagem
onsemi MOSFETs PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
Ficha técnica
9,268Em estoque
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 3,000

Si SMD/SMT Power-56-8 N-Channel 2 Channel 30 V 13 A, 30 A 8 mOhms, 1.8 mOhms - 20 V, - 12 V, 12 V, 20 V 1.1 V 29 nC, 87 nC - 55 C + 150 C 2.2 W, 2.5 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFETs PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
Ficha técnica
14,108Em estoque
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 3,000

Si SMD/SMT Power-56-8 N-Channel 2 Channel 30 V 13 A, 25 A 8 mOhms, 2.6 mOhms - 20 V, - 12 V, 12 V, 20 V 1.1 V 29 nC, 52 nC - 55 C + 150 C 2.2 W, 2.5 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel