F3L200R07W2S5FP EasyPACK™ IGBT Modules

Infineon Technologies F3L200R07W2S5FP EasyPACK™ IGBT Modules feature up to 650V increased blocking voltage capability and employ CoolSiC™ Schottky diode (gen5). These devices are based on TRENCHSTOP™ IGBT5  and PressFIT contact technology. The F3L200R07W2S5FP IGBT modules provide strongly reduced switching losses and an Al2O3 substrate with low thermal resistance. These modules come with a compact design comprising rugged mounting due to integrated mounting clamps and pre-applied thermal interface material. The F3L200R07W2S5FP IGBT modules are ideal for motor drives, solar applications, 3-level applications, and UPS systems.  

Resultados: 3
Selecionar Imagem Número de peça Fabricante Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (USD) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade. Qtde RoHS Modelo ECAD Produto Configuração Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor Tensão de saturação do coletor - emissor Corrente contínua do coletor a 25ºC Corrente de dispersão do gate - emissor Temperatura operacional mínima Temperatura operacional máxima Embalagem
Infineon Technologies Módulos IGBT 650 V, 200 A 3-level IGBT module Tempo de conclusão 10 semanas
Mín.: 1
Mult.: 1

SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 650 V 1.17 V 200 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 650 V, 200 A 3-level IGBT module Tempo de conclusão sem o estoque 10 semanas
Mín.: 18
Mult.: 18

Tray
Infineon Technologies F3L200R07W2S5FPB56BPSA1
Infineon Technologies Módulos IGBT 650 V, 200 A 3-level IGBT module Tempo de conclusão sem o estoque 10 semanas
Mín.: 18
Mult.: 18

Tray