Módulos de Ponte Completa 1200V SiC MOSFET da GCMX

Os Módulos de Ponte Completa SemiQ GCMX 1200 V SiC MOSFET oferecem baixas perdas por comutação, baixa resistência térmica de junção ao invólucro e uma montagem muito robusta e fácil. Esses módulos são montados diretamente no dissipador de calor (pacote isolado) e incluem uma referência Kelvin para operação estável. Todas as peças foram rigorosamente testadas para suportar tensões acima de 1350 V. A característica marcante desses módulos é a robusta tensão de fonte de drenagem de 1200V. Os módulos GCMX de ponte completa operam em temperatura de junção de 175°C e são compatíveis com RoHS. As aplicações típicas incluem inversores fotovoltaicos, carregadores de bateria, sistemas de armazenamento de energia e conversores CC-CC de alta tensão.

Resultados: 9
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 Fabricante
Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (USD) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade.
Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia
Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Número de canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Vgs - Voltagem de porta e fonte
Tensão de limite porta e fonte
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Pd - Dissipação de potência
Série
Embalagem
SemiQ Módulos MOSFET SiC 1200V 40mohm MOSFET Full-Bridge Module
Ficha técnica
31Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 40

SiC Press Fit N-Channel 1.2 kV 53 A 38 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 208 W GCMX Reel, Cut Tape
SemiQ Módulos MOSFET SiC 1200V 80mohm MOSFET Full-Bridge Module
Ficha técnica
35Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 40

SiC Press Fit N-Channel 1.2 kV 27 A 77 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 119 W GCMX Reel, Cut Tape
SemiQ Módulos MOSFET 1200V, 10mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 20 semanas
Mín.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit B3 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 201 A 8.9 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 600 W GCMX Bulk
SemiQ Módulos MOSFET SiC 1200V 20mohm MOSFET Full-Bridge Module
Ficha técnica
Não estocado
Mín.: 40
Mult.: 40
Bobina: 40

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 102 A 18 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 333 W GCMX Reel
SemiQ Módulos MOSFET 1200V, 20mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 20 semanas
Mín.: 40
Mult.: 40

SiC Press Fit B2 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 102 A 28 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 333 W GCMX Bulk
SemiQ Módulos MOSFET SiC 1200V 20mohm MOSFET Full-Bridge Module
Ficha técnica
Não estocado
Mín.: 40
Mult.: 40
Bobina: 40

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 93 A 18.1 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 300 W GCMX Reel
SemiQ Módulos MOSFET SiC 1200V 40mohm MOSFET Full-Bridge Module
Ficha técnica
Não estocado
Mín.: 40
Mult.: 40
Bobina: 40

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 56 A 38 mOhms - 5 V, + 20 V 1.8 V - 40 C + 175 C 217 W GCMX Reel
SemiQ Módulos MOSFET 1200V, 40mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 20 semanas
Mín.: 40
Mult.: 40

SiC Press Fit B2 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 56 A 52 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 217 W GCMX Bulk
SemiQ Módulos MOSFET 1200V, 80mohm SiC MOSFET Full Bridge Module
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 20 semanas
Mín.: 40
Mult.: 40

SiC Press Fit B2 N-Channel 4 Channel 1.2 kV 27 A 100 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 40 C + 150 C 119 W GCMX Bulk